Quá trình đào tạo

• Tiến sĩ Vật lý kỹ thuật tại Đại học Bách khoa Hà Nội.
• Thạc sĩ Vật lý chất rắn tại Trường Đại học Khoa học tự nhiên – Đại học Quốc gia Hà Nội.
• Cử nhân Tin học Vật lý tại Trường Đại học Khoa học tự nhiên – Đại học Quốc gia Hà Nội.

Quá trình công tác

• Từ tháng 2/2025: Giảng viên – Trường Đại học CMC.
• Năm 2019: Nhân viên phòng kỹ thuật – Công ty TNHH Xây dựng Số 1 Ngọc Hồi.

Các công trình khoa học đã công bố

1. Đô Nguyễn-Trung, Thoan Nguyễn-Hoàng*, Trung Nguyễn-Ngọc, Vinh Lê-Văn, Nghiên cứu vi cấu trúc và tính chất của vật liệu Al1-xGaxN vô định hình bằng phương pháp động lực học phân tử, Tuyển tập báo cáo hội nghị Vật lý chất rắn và Khoa học vật liệu toàn quốc lần thứ 10 (SPMS2017-Huế), trang 400, ISBN 9778- 604-95-0325-2.
2. Nguyễn Trung Đô, Nguyễn Hoàng Thoan^*, Trần Minh Quang, Đào Anh Tuấn, Nguyễn Ngọc Trung, “Xây dựng mô hình điện của transistor có độ linh động điện tử cao trên cơ sở chuyển tiếp dị thể AlGaN/GaN”, Hội nghị Vật lý Chất rắn và Khoa học Vật liệu Toàn quốc – SPMS 2019 (600 – 607). ISBN 978-604-98-7506- 9 (10/2019).
3. Nguyễn Trung Đô, Nguyễn Hoàng Thoan^*, Nguyễn Ngọc Trung, Vũ Ngọc Tước, Lê Thị Hồng Liên, “Nghiên cứu tính chất tại phân biên cấu trúc ALD-HfO2/GaN bằng phương pháp điện dung, điện áp”, Hội nghị Vật lý Chất rắn và Khoa học Vật liệu Toàn quốc – SPMS 2019 (608 – 612). ISBN 978-604-98-7506-9 (10/2019).
4. Nguyen-Trung Do, Nguyen-Hoang Thoan, Tran Minh Quang, Dao Anh Tuan, Nguyen-Ngoc Trung*, An analytical model for AlGaN/GaN MOS-HEMT for high power applications. In: Parinov I., Chang SH., Long B. (eds) Advanced Materials. Springer Proceedings in Materials, vol Springer, Cham. (17 June 2020; Springer Cham, ISBN978-3-030-45119-6) https://doi.org/10.1007/978-3-030-45120-2_3 (Hội nghị quốc tế, trong Index Scopus).
5. Nguyen-Hoang Thoan, Nguyen-Trung Do, and Nguyen-Ngoc Trung* and Le Van Vinh; The structural correlation and mechanical properties in amorphous hafnium oxide under pressure, International Journal of Modern Physics B, pp 2040149- (1:8) 2020. https://www.worldscientific.com/doi/abs/10.1142/S0217979220401499. (ISI, Q4).
6. Thoan N.H., Do N.T., Duc T.T., Trung N.N. (2021) Deep Level Defects in GaN Grown at Low Temperature by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. In: Long B.T., Kim YH., Ishizaki K., Toan N.D., Parinov I.A., Vu N.P. (eds) Proceedings of the 2nd Annual International Conference on Material, Machines and Methods for Sustainable Development (MMMS2020). MMMS 2020. Lecture Notes in Mechanical Engineering. Springer, Cham. https://doi.org/10.1007/978-3-030- 69610-8_34 (Hội nghị quốc tế, trong Index Scopus).
7. Nguyễn Trung Đô*, Nguyễn Ngọc Trung*, Lưu Thị Lan Anh, Nguyễn Hoàng Thoan, Lê Thị Hồng Liên, Nghiên cứu ảnh hưởng của quá trình ăn mòn đến điện trở suất tiếp giáp Ohmic của linh kiện AlGaN/GaN HEMT, tạp chí Khoa học và Công Nghệ (JST: Engineering and Technology for Sustainable Development) Volume 31, Issue 2, April 2021, pp095-100.
8. Nguyễn Trung Đô, Nguyễn Hoàng Thoan*, Nguyễn Ngọc Trung, Nghiên cứu tính chất bẫy bề mặt tại phân biên cấu trúc ALD Al2O3/GaN bằng phương pháp điện dung – điện áp, Hội nghị vật lý chất rắn và Khoa học vật liệu toàn quốc – SPMS 2023 ( 188 – 191). ISBN 978-604-471-702-9 (11 – 2023).